데이터를 저장하는 데 사용하는 비휘발성 메모리. 전원이 꺼져도 저장한 정보가 사라지지 않는 메모리 반도체로, 비휘발성 메모리라고 부른다. 낸드플래시(nand flash)는 플래시 메모리의 한 형태로 전원이 없는 상태에서도 데이터를 계속 저장할 수 있으며, 데이터를 자유롭게 저장 또는 삭제할 수 있다. 저장단위인 셀을 수직으로 배열해 좁은 면적에 많은 셀을 만들 수 있도록 돼 있어 대용량이 가능하다. 디지털카메라, 휴대용저장장치, 컴퓨터, 스마트폰, PC의 주저장장치로 활용되며 사물인터넷(IoT), 빅데이터, 인공지능(AI) 등에도 폭넓게 쓰인다. 낸드플래시는 전원이 꺼지면 저장된 자료가 사라지는 D램이나 S램과 달리 전원이 없는 상태에서도 데이터가 계속 저장되는 플래시메모리를 말한다. 이런 특징 때문에 비휘발성 메모리라고 부른다. 휘발성 메모리는 반도체에 저장된 메모리가 휘발유처럼 쉽게 날아간다는 의미이고, 비휘발성 메모리는 한번 저장된 메모리는 없어지지 않는다는 의미를 가진다. 휘발성 메모리는 저장할 데이터가 잠시 머물다가 이동하는 캐시 기능으로 주로 사용된다. 반면 비휘발성 메모리는 캐시메모리에서 받은 데이터를 반영구적으로 저장할 수 있어 디바이스로 사용된다. 휘발성 메모리의 대표적인 반도체가 D램이라면, 비휘발성 메모리의 대표는 낸드플래시이다. 플래시 메모리(Flash Memory)는 반도체 칩 내부의 전자회로의 형태에 따라 직렬로 연결된 낸드 플래시와 병렬로 연결된 노어플래시로 구분된다. 낸드플래시는 용량을 늘리기 쉽고 쓰기 속도가 빠른 반면, 노어플래시는 읽기 속도가 빠른 장점을 갖고 있다. 낸드(NAND)는 Not+And, 노어(Nor)는 Not+Or라는 논리연산자의 조합이다. 직렬로 연결된 낸드 플래시는 용량을 늘리기에 쉽고, 병렬로 연결된 노어 플래시는 읽기 속도는 읽기속도가 빠르다. 낸드플래시는 저장 단위인 셀을 수직으로 배열하는 구조이기 때문에 좁은 면적에 많은 셀을 만들 수 있어 대용량화가 가능하다. 또한 데이터를 순차적으로 찾아가 읽기 때문에 노어플래시보다 읽기 속도는 느리지만, 별도로 셀의 주소를 기억할 필요가 없어 쓰기 속도는 훨씬 빠르다. 제조 단가가 노어플래시보다 싸다. 이론적으로 한 셀당 면적이 NOR형의 40% 수준이다.